850нм Si PIN модулиуд

Загвар: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Товч тодорхойлолт:

Энэ нь 850нм Si PIN фотодиодын модуль бөгөөд урьдчилан олшруулах хэлхээтэй бөгөөд сул гүйдлийн дохиог өсгөж, фотон-фото цахилгаан дохионы олшруулалтыг хувиргах үйл явцад хүрэхийн тулд хүчдэлийн дохио болгон хувиргах боломжийг олгодог.

үнийн санал авах Татаж авах

Техникийн параметр

Бүтээгдэхүүний шошго

Онцлогууд

Өндөр хурдны хариу үйлдэл
Өндөр мэдрэмжтэй

Хэрэглээ

Лазер гал хамгаалагч

Фотоэлектрик параметр（@Ta=22±3℃）

Зүйл #	Багцын ангилал	Гэрэл мэдрэмтгий гадаргуугийн диаметр (мм)	Хариуцлагатай байдал	Өсөх цаг (NS)	Динамик хүрээ (дБ)	Ажиллах хүчдэл (V)	Дуу чимээний хүчдэл (мВ)	Тэмдэглэл
Зүйл #	Багцын ангилал	Гэрэл мэдрэмтгий гадаргуугийн диаметр (мм)	λ=850нм，φ_e=1μВт		λ=850нм	Ажиллах хүчдэл (V)	Дуу чимээний хүчдэл (мВ)	Тэмдэглэл
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0.3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0.3	40	(Туслах өнцөг: 0°, 830нм~910нм-ийн дамжуулалт ≥90%
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	±6±0.3	40
GD42121Y		10×0.95	110	20	20	±5±0.1	25
Тайлбар: GD4213Y-ийн туршилтын ачаалал 50Ω, бусад нь 1МΩ байна.