InGaAs APD модулиуд

Загвар: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Товч тодорхойлолт:

Энэ бол сул гүйдлийн дохиог олшруулж, фотон-фотоэлектрик-дохио олшруулах хувиргах процесст хүрэхийн тулд хүчдэлийн дохио болгон хувиргах боломжийг олгодог урьдчилан олшруулах хэлхээ бүхий индий галлийн арсений нуранги фотодиод юм.

үнийн санал авах Татаж авах

Техникийн параметр

Бүтээгдэхүүний шошго

Онцлогууд

Урд талын гэрэлтүүлэгтэй хавтгай чип
Өндөр хурдны хариу үйлдэл
Илрүүлэгчийн өндөр мэдрэмж

Хэрэглээ

Лазерын хүрээ
Лазер харилцаа холбоо
Лазер анхааруулга

Фотоэлектрик параметр（@Ta=22±3℃）

Зүйл #	Багцын ангилал	Гэрэл мэдрэмтгий гадаргуугийн диаметр (мм)	Спектрийн хариу урвалын хүрээ (нм)	Эвдрэлийн хүчдэл (V)	Хариуцлагатай байдал M=10 λ=1550нм (кВ/Вт)	Өсөх цаг （ns）	Дамжуулах зурвасын өргөн (МГц)	Температурын коэффициент T_a=-40℃～85℃ （V/℃）	Дуу чимээний эквивалент чадал(pW/√Hz)	Төвлөрсөн байдал（мкм）	Бусад улс оронд төрлийг сольсон
GD6510Y	TO-8	0.2	1000~1700	30~70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B