355 нм APD

Загвар: GD5210Y-0-1-TO5/ GD5210Y-0-2-TO5

Товч тодорхойлолт:

Энэ нь том гэрэл мэдрэмтгий гадаргуутай, хэт ягаан туяаг сайжруулсан Si нуранги фотодиод юм.Энэ нь хэт ягаан туяанаас NIR хүртэлх өндөр мэдрэмжийг өгдөг.

үнийн санал авах Татаж авах

Техникийн параметр

Бүтээгдэхүүний шошго

Онцлогууд

Урд талын гэрэлтүүлэгтэй хавтгай чип
Өндөр хурдны хариу үйлдэл
APD-ийн өндөр өсөлт

Хэрэглээ

Анагаах ухаан
Биологи

Фотоэлектрик параметр（@Ta=22±3℃）

Зүйл #	Багцын ангилал	Гэрэл мэдрэмтгий гадаргуугийн диаметр (мм)	Спектрийн хариу урвалын хүрээ(нм)	Хариуцлагатай байдал λ=355нм φ_e=1μВт M=100 (A/W)		Харанхуй урсгал M=100 (nA)		Температурын коэффициент Ta = -40℃～85℃ （V/℃）	Нийт багтаамж M=100 f=1MHz （pF）	Эвдрэл хүчдэл IR=10μA (V)
				VR=10V	VR=8V	Төрөл.	Макс.			Мин.	Макс.
GD5210Y-0-1-TO5	TO-5	1.8	300~1100	0.22	6.75	3	10	0.4	20	80	200
GD5210Y-0-2-TO5	TO-5	3.0				15	50		50